AIGaN太阳盲型紫外探测器

• 作 者: 李雪 何政 李向阳 龚海梅 方家熊 赵德刚
• 机 构: 传感技术国家重点实验室，中国科学院上海技术物理所，上海
• 出 处: 2006全国光电子与光电信息技术学术研讨会
• 发表日期: 2006年期
• 关键词: 太阳盲区 肖特基接触 紫外探测器 异质结构 肖特基结 响应波长 势垒高度 欧姆接触 光谱响应 电学性质 响应率 生长 器件 峰值

在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au和Ti/AI／Ni／Au形成，器件的电学性质和光谱响应被研究.研究结果表明，Au与Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，其势垒高度为0.83eV，探测器的响应波长从250nm到290nm，峰值响应率约为0.081A／W。