基于分子源SrTiO3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模型Ⅰ:生长机制、模型与算法

• 作 者: 张青磊;朱基亮;谭浚哲;于光龙;吴家刚;朱建国;肖定全;
• 机 构: 四川大学材料科学系,成都,610064
• 出 处: 第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议
• 发表日期: 2005年期

提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTiO3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于MonteCarlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于SolidonSolid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;MonteCarlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关.