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本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态和氧化物陷阱电荷引起的表面复合电流的增大是导致SiteHBT器件电流增益退化的主要机制。而不同器件辐射响应的差异则与不同的器件结构以及工艺参数的不同而引入的不同的能级缺陷有关。