磁控溅射制备纳米Ni—Al薄膜的表面粗糙度和电阻率的研究

• 作 者: 王晶 余花娃 田来科
• 机 构: 西北大学物理学系，陕西西安710069;西安工程大学理学院，陕西西安710048西安工程大学理学院，陕西西安710048西北大学物理学系，陕西西安710069
• 出 处: 陕西省物理学会2008年学术年会
• 发表日期: 2008年12期
• 关键词: 纳米薄膜 磁控溅射 表面粗糙度 薄膜电阻率 原子力显微镜

研究了在纳米厚度范围内，Ni—Al薄膜的电阻率与表面粗糙度的关系。利用直流磁控溅射方法，使用高纯度(99.99％)的Ni和A1靶，通入Ar气制备了Ni—Al薄膜，薄膜的厚度15 nm～140 nm。在室温下通过直线四探针和原子力显微镜测量了不同厚度Ni—Al薄膜的电阻率和表面粗糙度。结果表明：电阻率变化和表面粗糙度成近似线性关系。