【摘 要】
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在半导体氧化物当中，In2O3是“多面手”型的材料。本文利用硬模板法合成了掺杂Zr的介孔In2O3和未掺杂的介孔In2O3.合成的材料利用X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM),X射线光
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012
【出 处】
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第十四届全国敏感元件与传感器学术会议
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在半导体氧化物当中，In2O3是“多面手”型的材料。本文利用硬模板法合成了掺杂Zr的介孔In2O3和未掺杂的介孔In2O3.合成的材料利用X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS)和氮气脱吸附等进行了表征.小角XRD和TEM的表征结果显示出了样品的有序介孔结构,广角XRD图谱中(222)特征峰的偏移说明了Zr掺杂到了In2O3的晶格里.Zr掺杂的In2O3介孔材料对1ppm的NO2的灵敏度(Response)高达169(Response=Rg/Ra).在最佳工作温度75℃条件下,对NO2的检测下限为20ppb.Zr-In203较低的工作电阻(23kΩ)也有利于气体传感器的小型化.
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