CN薄膜热稳定性的TG-MS研究

• 作 者: 陆昌伟 肖兴成 陈云仙 奚同庚 胡行方 陆立明
• 机 构: 中国科学院上海硅酸盐研究所(上海) 梅特勒-托利多仪器上海有限公司(上海)
• 出 处: 第十届全国化学热力学和热分析学术年会
• 发表日期: 2000年10期
• 关键词: 磁控溅射法 TG-MS联用技术 CN薄膜 热稳定性

首次在氩气气氛中对用磁控溅射法制备CN<,x>薄膜的热稳定性进行了TG-MS研究。实验结果表明，CN<,x>薄膜在室温至700℃左右约有7℅的失重。经MS表征，在180℃，390℃，540℃分别检测出C<+>(m/z=12)，NO<+>(m/z=30)，O<,2><+>(m/z=32)，CO<,2><+>(m/z=44)，CN<+>(m/z=26)，C<,2>N<,2><+>(m/z=52)和NO<,2><+>(m/z=46)等正离子质谱峰。在700-1400℃温区内，出现了42.8℅的失重，MS表征在1000℃左右有C<,2><+>(m/z=12)，O<,2><+>(m/z=32)，CO<,2><+>(m/z=44)，NO<,2><+>(m/z=46)正离子质谱峰。该文还对CN<,x>薄膜在热处理过程中的挥发机理作了初步探讨。