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本文介绍了一种基于氧化锌纳米线的薄膜晶体管的制备和研究。通过氧化锌纳米线做电子传输的沟道，采用Top栅极结构实现了传统硅薄膜晶体管的相应的功能。其中，电子迁移率达到了0.95cm2/VS，阈值电压为1.0V，整个器件的开关通断比大于104，基本达到了传统的薄膜晶体管的性能，但由于其制作过程，无需高温，为进一步制作柔性显示电路提供了可能。