【摘 要】
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掺稀土GaN材料在光通讯和显示技术等方面有广泛的应用前景.本文利用背散射/沟道技术和光致发光谱等技术研究不同离子注入条件对Er离子注入GaN薄膜微结构和发光特性的影响.背散射/沟道技术分析结果指出,随稀土注入剂量和能量增加,引入的晶格损伤总量增加,沟道注入和升温(400℃)注入可以减少损伤的引入,热退火可使部分晶格损伤得到恢复.采用合适的离子注入参数和高温退火工艺,可获得强的室温GaN∶Er在1.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京,100083
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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掺稀土GaN材料在光通讯和显示技术等方面有广泛的应用前景.本文利用背散射/沟道技术和光致发光谱等技术研究不同离子注入条件对Er离子注入GaN薄膜微结构和发光特性的影响.背散射/沟道技术分析结果指出,随稀土注入剂量和能量增加,引入的晶格损伤总量增加,沟道注入和升温(400℃)注入可以减少损伤的引入,热退火可使部分晶格损伤得到恢复.采用合适的离子注入参数和高温退火工艺,可获得强的室温GaN∶Er在1.54mm的红外发光.
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