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制备了增强型InGaP/InGaAs PHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近OV的增强型InGaP/InGaAs PHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。