【摘 要】
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用催化氧化法制备了四针状氧化锌T-ZnO粉体,用Sol-Gel法制备纳米TiO和T-ZnO-TiO粉体,并以其为前驱体制得纳米微粒与聚甲基丙烯酸甲酯的复合膜。用x-射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和循环伏安(I-V)等方法表征及测定复合薄膜的表面结构与催化活性。紫外-可见吸光光度法等研究结果表明,以杀菌紫外灯作光源,在纳米T-ZnO-TiO与聚甲基丙烯酸甲
【机 构】
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福建师范大学化学与材料学院,福建,福州,350007
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用催化氧化法制备了四针状氧化锌T-ZnO<,w>粉体,用Sol-Gel法制备纳米TiO<,2>和T-ZnO<,w>-TiO<,2>粉体,并以其为前驱体制得纳米微粒与聚甲基丙烯酸甲酯的复合膜。用x-射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和循环伏安(I-V)等方法表征及测定复合薄膜的表面结构与催化活性。紫外-可见吸光光度法等研究结果表明,以杀菌紫外灯作光源,在纳米T-ZnO<,w>-TiO<,2>与聚甲基丙烯酸甲酯的复合薄膜的悬浮液中,亚甲基蓝可被快速降解脱色,T-ZnO<,w>-TiO<,2>复合薄膜比单一的ZnO、T-ZnO<,w>或TiO<,2>薄膜具有更高的光降解活性。
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本研究通过电化学沉积方法，将纳米尺度的、析氢过电位较高的铜沉积在PCB上，作为“核/壳”型催化剂的“核”。然后通过所沉积的铜“核”与铂盐之间的化学置换反应，在碳载铜纳米粒子表面形成完全置换的铂单原子层，作为“核/壳”的“壳”。从而构筑对氢、甲醇氧化以及氧气还原具有协同催化作用的省铂型、Cu@Pt“核/壳”型燃料电池催化剂。
本文以一种衫掺杂的氧化铈(SDC)-(Li/Na)ZCO复合物作为SOFC的电解质，测定了电解质材料的交流阻抗谱图，并组成氢-空气燃料电池，测定了单电池的电流-电压特性和功率特性。
直接甲醇燃料电池以其低温运行及燃料来源丰富,补充燃料方便等优点,被认为在便捷式电子设备及电动汽车上有很广泛的潜在应用。但直接甲醇燃料电池未能实用化的原因之一是甲醇在电极表面的较低的氧化活性和较慢的动力学过程,因此,寻找催化性能优良的阳极催化剂一直是这一领域的重要研究方面。近年来甲酸作为燃料的直接甲酸燃料电池倍受关注,一方面由于甲酸氧化比甲醇氧化有较快的电极动力学过程,另一方面也由于甲酸比甲醇有较小
本文主要论述了在nanoTiO/CNT-PtNi(Nd)复合纳米催化剂的基础上，进一步探索了掺杂稀土元素Nd离子的nanoTiO/CNT-PtNi(Nd)多组分纳米催化剂对甲醇的电催化氧化性能，发现Nd离子作为电极表面吸附物质加入到反应进程中，对甲醇电催化氧化的动力学有很大的影响，电化学测试结果表明，Nd在甲醇电催化氧化过程中起到了显著的促进作用。
直接甲醇燃料电池(DMFC)由于燃料来源丰富、价格低廉、便于储存和运输的优点,在小型化电源方面具有广阔的应用前景.由于DMFC中常用的阳极Pt催化剂对甲醇氧化的电催化活性较低,而且还易被甲醇氧化的中间产物毒化,因此,研究对甲醇氧化有高电催化活性和抗中毒能力的阳极催化剂是目前DMFC中研究的热点.已有许多文章报道Pt与过渡金属及过渡金属氧化物的复合催化剂。其中,有关碳载Pt-WO(Pt-WO/C)催
如何提高电催化剂的活性和稳定性一直是燃料电池领域中一个非常活跃的课题。直接甲酸燃料电池具有甲酸氧化动力学快,甲醇渗透影响小和电池电压较高等优点,近年来得到越来越多的关注。已有很多文献报道Pt电极上不可逆修饰Sb、Bi等,可以显著提高它对甲酸的电氧化活性。但亚单层吸附的原子很容易流失,导致催化剂性能不稳定。关于PtSb合金电催化剂还很少研究,本文利用化学还原法制备PtSb合金催化剂,显著提高其对甲酸
直接甲酸燃料电池(DFAFC)具有很多优点,与直接甲醇燃料电池相比,在DFAFC中,由于Nafion膜中的磺酸基团与甲酸阴离子间有排斥作用,因此甲酸对Nafion膜的渗透率远小于甲醇。因此,DFAFC很可能成为一种较理想的可移动电源。通常,Pt作为质子交换膜燃料电池的阴极催化剂,因为,Pt对氧气还原有高的电催化活性,但是Pt也容易被甲酸氧化的中间产物CO所毒化,因此研究对氧气还原有高的电催化活性和
本文比较了二甲醚气态与液态进料方式对直接二甲醚燃料电池性能的影响，并和目前研究较广泛的DMFC的性能做了比较。
TiO作为一种重要的半导体材料具有十分诱人的特性,在能源、环境及高科技领域展示出广阔的应用前景。本文通过电化学方法构筑各种具有表面纳米结构的TiO,可赋予TiO更优异的特性和功能,并探索在能源、环境及高科技领域应用的可能性。主要内容包括(1)TiO纳米管的电化学构筑及修饰及其光生阴极保护作用；(2)TiO纳米管的光电催化及难降解污染物的深度处理；(3)微图案化TiO纳米管的构筑及各种新型功能材料的
the PS layers were fabricated on silicon wafers of n(111)(～25mΩ·cm)using the potentiometry methods,the effect of etching time on the PS formation were systematically studied by obtaining the E}t curve