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该会议论文论述了半导体材料缺陷的电子显微镜分析，用魔镜法检测晶体表面及亚表面缺陷，砷化镓晶片损伤层测量，硅和砷化镓抛光损伤层厚度测量，半绝缘ＧａＡｓ中杂质和缺陷均匀性的无损检测方法，硅单晶切割速率对机械伤层的影响以及硅片边缘几何状态是碎裂的重要原因等。（吴银燕摘）
第七届信息电子材料测试与分析学术会议论文－－结构与缺陷分析
【摘 要】
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该会议论文论述了半导体材料缺陷的电子显微镜分析，用魔镜法检测晶体表面及亚表面缺陷，砷化镓晶片损伤层测量，硅和砷化镓抛光损伤层厚度测量，半绝缘ＧａＡｓ中杂质和缺陷均匀性的无损检测
【出 处】
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中国电子学会第七届信息电子材料测试与分析学术会议
【发表日期】
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1992年期
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