【摘 要】
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目前,石墨烯已经在纳米电子器件、气体传感器、场发射器件、高电子迁移率器件、能量存储等领域取得了突破性的进展.人们对其研究已经不仅局限于理论基础,而是上升到制备工艺
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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目前,石墨烯已经在纳米电子器件、气体传感器、场发射器件、高电子迁移率器件、能量存储等领域取得了突破性的进展.人们对其研究已经不仅局限于理论基础,而是上升到制备工艺及应用领域的探索.在目前众多制备石墨烯的方法中,由于SiC是优良的半导体材料、同时外延薄膜无须衬底转移并且与当前硅平面工艺相兼容,SiC外延法被认为是最具潜力的方法之一.本文通过实验探究了外延SiC衬底制备石墨烯的工艺条件,并对实验结果进行表征,较为精确地分析了表面形貌及层数,最终得到了大面积高品质的石墨烯.本文基于兰州化学物理研究所的真空碳管炉，设计实验，探究了小封闭空间高温热解SiC衬底外延石墨烯的工艺条件。本文结合实验结果付工艺过程进行优化，总结出不同方法在不同衬底上制备石墨烯的最优工艺参数及各参数的影响规律，最终生长出大面积高品质石墨烯。
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