【摘 要】
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面对6T存储单元因工艺偏差带来的稳定性差、抗噪声能力弱及随之而来的漏电流等问题,本文介绍了一种新型的7T存储单元结构和一种8T存储单元结构,并提出一种9T的存储单元结构.
【机 构】
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国防科技大学计算机学院 长沙410073
【出 处】
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第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10)
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面对6T存储单元因工艺偏差带来的稳定性差、抗噪声能力弱及随之而来的漏电流等问题,本文介绍了一种新型的7T存储单元结构和一种8T存储单元结构,并提出一种9T的存储单元结构.与传统的6T存储单元进行比较,新型的存储单元采用读写分开的策略,这样就不存在因工艺偏差带来的稳定性差的问题,而且在功耗、面积及执行性能上都有很大的提高,尤其是CMOS工艺尺寸越小,这种优势就越明显.
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