Nb[*v6*]Sn[*v5*]生成Nb[*v3*]Sn的生长特性

• 作 者: 罗乐 胡素辉
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所
• 出 处: 第六届全国高临界参数超导体学术交流会
• 发表日期: 1986年期
• 关键词: 细晶粒 热处理温度 组织结构 生长曲线 扩散方式 短程扩散 扩散法 方程解 转化 液相 外层 实验 内层 控制

采用“Nb管富Sn固-液相扩散法”，研究了Nb[*v6*]Sn[*v5*]向Nb[*v3*]Sn转化过程中Sn的扩散方式及微组织结构。实验结果表明：Nb[*v3*]Sn层生长受Nb[*v6*]Sn[*v5*]分解时Sn的短程扩散和长程扩散两种机制的控制，分别形成晶粒较粗的内层和晶粒较细的外层；粗细晶粒的差别和热处理温度有关。根据此机制得出的扩散方程解与Nb[*v3*]Sn生长曲线符合得很好。（本刊录）