降低快速晶闸管通态压降和关断时间的质子辐照方法

• 作 者: 何维 林理彬 陈军 卢勇 何捷 朱佳政
• 机 构: 四川大学物理系(成都)
• 出 处: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 快速晶闸管 通态压降 关断时间 双束质子辐照 开关时间 电学参数 辐照晶闸管 压降关系 能量 产生机理 参数对比 半成品 协调 缩短 基础

该文从晶库管通态压降产生的方面入手，在分析通态压降产生机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系上提出双束质子辐照晶闸管。通过对KK200A半成品晶闸管进行能量3.5MeV和5.0MeV注量为2.5×10<'11>p/cm<'2.的单束质子辐照所得的晶库管的电学参数与相同能量的双束质子辐照晶库管所得电学参数对比，得出了双束质子辐照不仅能有效地缩短晶闸管的开关时间，而且在降低快速晶闸管的通态压降方面比单束质子辐照的晶闸管优越。