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本文研究了n型4H-SiC MESFET器件中Ti/4H-SiC肖特基接触的基本制作工艺及其电学参数.采用电流-电压法(I-V)测试得到横向肖特基势垒的理想因子n,有效肖特基势垒高度φ<,e>和串联电阻R<,n>.
SiC MESFET中Ti/4H-SiC肖特基接触研究
【摘 要】
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本文研究了n型4H-SiC MESFET器件中Ti/4H-SiC肖特基接触的基本制作工艺及其电学参数.采用电流-电压法(I-V)测试得到横向肖特基势垒的理想因子n,有效肖特基势垒高度φ和串联电
【机 构】
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南京电子器件研究所(南京)
【出 处】
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中国电子学会微波学会第五届全国毫米波亚毫米波学术会议
【发表日期】
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2004年期
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