【摘 要】
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用共蒸发方法将高纯稀土金属镱和多晶硅材料以原子比1:2蒸发在单晶硅和SiO衬底上得到了非晶稀土硅化物,然后对其进行红外退火和原位电阻率测量.用2.5MeVLi背散射技术确定了材
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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用共蒸发方法将高纯稀土金属镱和多晶硅材料以原子比1:2蒸发在单晶硅和SiO<,2>衬底上得到了非晶稀土硅化物,然后对其进行红外退火和原位电阻率测量.用2.5MeV<+>Li<-7>背散射技术确定了材料中的成分及其分布,用X-射线衍射测量了样品的结构相.原位电阻率测量表明,单晶硅上稀土硅化物的外延生长温度约为260℃,而SiO<,2>衬底非晶相-晶相的转变温度为400℃左右,说明稀土硅化物的固相外延生长温度显著低于自身的晶化温度.
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