正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOI MOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究

• 作 者: 黄爱华 何进 张兴 黄如
• 机 构: 北京大学微电子研究所
• 出 处: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
• 发表日期: 2001年期
• 关键词: 栅控二极管 电流法 试验方法 测量 应力时间 诱生 界面陷阱密度 指数关系 实验研究 器件 子特性 管生产 载流 抗热 表征

本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOI MOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,它可以直接测得应力产生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.对于本文测量的器件,得到了预期的应力产生的净界面陷阱密度和累计应力时间的幂指数关系,即ΔN<,it>～t<0.787>.