【摘 要】
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基于LTCC厚薄膜混合基板的MCM-C/D多芯片组件技术,对LTCC技术和薄膜技术进行优势互补,兼具LTCC技术和薄膜技术的优点,可满足电子整机高频、宽带的应用需求.为了制备满足
【机 构】
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Nanjing Research Institute of Electronics Technology,Nanjing 210039,China
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基于LTCC厚薄膜混合基板的MCM-C/D多芯片组件技术,对LTCC技术和薄膜技术进行优势互补,兼具LTCC技术和薄膜技术的优点,可满足电子整机高频、宽带的应用需求.为了制备满足薄膜工艺布线的LTCC多层基板,研究了层压压力和烧结温度对A6-M LTCC多层基板致密性的影响.研究结果表明,层压压力对致密性的影响不明显,而烧结温度对LTCC的致密性有明显的影响.875℃烧结的基板试样的致密性最好,烧结温度较低,基板表现为欠烧,烧结温度过高,则表现为过烧结.按照优化工艺制备的LTCC基板,抛光后粗糙度Ra值达到10～15nin,可初步满足薄膜工艺布线的要求,基板表面薄膜工艺单层布线的最小线宽线间距为20微米.
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