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生长了短周期AlGBAs/GaAs超晶格，并通过双晶X射线衍射谱，对MOCVD）超薄层AlGaAS、的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及pendellosong干涉条纹的出现，定性地对晶格结构及界面作出评价。X光衍射测量结果与HEMT结构电学性能结果有较好的对应关系。
短周期AlGaAs／GaAs超晶格的MOCVD生长及调射线衍射研究
【摘 要】
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生长了短周期AlGBAs/GaAs超晶格，并通过双晶X射线衍射谱，对MOCVD）超薄层AlGaAS、的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及pendellosong干涉条纹的出现，定性地对晶格结构及界面
【机 构】
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电子器件研究所
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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