半哈斯勒拓扑绝缘体和半金属化合物的理论搜索

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dongrun4696
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  对三元半哈斯勒化合物MM'X(M,M'为ⅠA族至ⅡB族的大部分元素;X为Ⅲ族至Ⅷ族的大部分元素)进行高通量的第一性原理计算和数据分析,我们发现LiAuS和NaAuS体系具有s-p能带反转结构,并且它们的体结构带隙分别为0.20和0.19eV.
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