InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

• 作 者: 韩春林 高建峰 薛舫时 陈辰 张杨 曾一平
• 机 构: 单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016
• 出 处: 2007年全国微波毫米波会议
• 发表日期: 2007年期
• 关键词: 共振 二极管 隔离层 层厚度 器件 峰谷电流比 材料厚度 厚度范围 电流密度 材料结构 负微分 优化 特性 电阻

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。