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Interface control of ferroelectricity in BaTiO3 ferroelectric capacitor in ultrathin limit
【作 者】
:
【机 构】
:
CenterforCorrelatedElectronSystems,InstituteforBasicScience(IBS),Seoul151-747,RepublicofKorea;Depart
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年10期
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