【摘 要】
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利用北京谱仪在对撞能量为4.03GeV处收集的总亮度为22．3pb的数据。测量了带电及中性D介子的单举半轻子（电子〕衰变的分支比。此分支比可用于检验旁观者模型和同位旋对称性由于
【出 处】
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高能物理学会第五届会员代表大会暨全国高能物理大会
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利用北京谱仪在对撞能量为4.03GeV处收集的总亮度为22．3pb<-1>的数据。测量了带电及中性D介子的单举半轻子（电子〕衰变的分支比。此分支比可用于检验旁观者模型和同位旋对称性由于在此能量处无法知道单标记反冲侧D介子为中性的还是带电的，为了解决单标记反冲侧的D<+>和D“污染“的问题：采用了“联合D<+>和D双标记”的方法。利用了D<0>→K<->π<+>，D<0>→K<->π〈+〉π<+>π<->,D<>+→K<->π<+>π<+>等三个单标记模式，共找到7064±130个D<0>和2311±78个D<+>单标记事例。扣除了背景和粒子误判的影响后，在D<0>的反冲侧找到了374±25个“净”电子事例，在D<+>的反冲侧找到了162±121个“净”电子事例。由“联合D<+>和D双标记”的方法；测得D<+>和D<0>单举半轻子（电子〕衰变的分支比为BF（D<+>→e<+>X）＝（17．9±4.7<+1.8>-<1.7>),BF（D<0>→e<+>X）＝（7．0±l.4<+0.8><,-0.9）℅，其相对比值为BF（D<+>→e<+>X)/BF(D<0>→e<+>X）＝2．6±0．8±0．5。
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