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该文采用化学腐蚀观察、透射电子显微镜及计算机辅助分析等手段对不同中子辐照剂量直拉硅中的内吸除效应进行了研究。结果表明：在相同的退火温度和时间下，辐照剂量越大，清洁区宽度越窄。通过对数据曲线的拟合，该文得出了在９５０°Ｃ￣１１５０°Ｃ几个温度下退火的清洁区宽度的定量表达式；同时认为空位在ＮＴＤＣＺＳｉ中的扩散被加快，高温下氧沉淀以非均匀成核为主，辐照引入的空位型缺陷由于可以释放沉淀生长过程中的失配应力而作为非均匀成核的核心，加快了氧沉淀的过程。