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来源 :第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
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会议
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该文分析研究了硅单晶片新生晶面的电荷性质、化学吸附转化为物理吸附、有害吸附转化为无害吸附;减少亚损伤。