【摘 要】
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Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料.本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
【出 处】
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2006北京国际材料周暨中国材料研讨会
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Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料.本文采用微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜,并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征.研究表明基体负偏压是影响薄膜结构和性能的重要参数.随着基体负偏压的增大(-50～-250 V),薄膜表面光滑平整;硬度值保持在25GPa以上,在偏压为-150V时硬度最大,为27.5GPa;薄膜中Si-C-N键含量保持在40％左右,C-N键含量先增加后减小;薄膜为非晶结构.上述结果表明由于基体偏压的增加,薄膜中的高键合能的C-N键的含量,膜中Si、C、N各元素的化学配比发生改变,导致薄膜结构和性能的变化.
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