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该文根据半导体光电发射模型，讨论并提出了光电子能量损失速率的概念。引用过热电子经散射后的均方根距离公式，表明光电子能量损失速率与激发态能量呈抛物线关系。考虑晶格声子散射、在各种光阴极响应波长范围内、对光电子能量损失速率、逸出深度，以及逸出几率进行了计算。在波长0.18—0.36微米范围，锑铯光阴极应考虑二次电子空穴对的生成。计算所得光电子最大逸出深度为284埃。锑钾钠铯光阴极有效大的光电子逸出深度，主要来自合适的带隙，较大的对生成阈值和较低的有效电子亲和势。运用计算结果，对锑碱光阴极的光谱响应曲线、三碱S-20VR光阴极厚度作了分析讨论，得出其应有厚度为1300埃。（本刊录）