论文部分内容阅读
文中介绍有源相控阵雷达未来发展趋势及对T/R组件的指标需求.重点讨论了T/R组件的发展进程及砖式、片式和高集成有源子阵的技术形态和集成架构,并对其发展趋势进行展望.同时介绍了T/R组件应用的新一代器件(GaN等)、封装和散热技术的最新技术研发情况.
有源相控阵雷达TR组件技术及发展趋势
【摘 要】
：
文中介绍有源相控阵雷达未来发展趋势及对T/R组件的指标需求.重点讨论了T/R组件的发展进程及砖式、片式和高集成有源子阵的技术形态和集成架构,并对其发展趋势进行展望.同时
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第14研究所
【出 处】
：
2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会
【发表日期】
：
2014年10期
其他文献
装饰美术的存在源远流长,其所涵盖的范围非常广,从服饰、装饰品、武器、祭器及其他什物的纹样到建筑的壁面装饰、室内家具的装饰、书籍的装潢、包装等,都属于装饰美术。可见,
本文设计了适用于脉冲超宽带系统的接收机.该接收机基于0.13μm CMOS工艺设工作频段在3GHz～5GHz.接收机电路包括低噪声放大器、有源巴伦、乘法器以及积分器.接收机的版图
水稻是我国的主要农作物之一,研究水稻生理机制是水稻的遗传育种基本前提。水稻的叶形直接影响水稻的光合作用效率,分蘖的多少与水稻的结实率直接相关,因此水稻的叶形及分蘖都是与水稻的产量密切相关的重要农艺性状。IAA是植物体中的重要植物激素,它在植物的生长与发育进程中发挥广泛的作用。由于植物激素合成的多重性,包含几个色氨酸依赖途径和不依赖色氨酸的途径。但是这些途径的分子机制和生物学角色还是鲜为人知的。植物
本文提出了一种针对GaN HEMT高频开关应用的驱动电路架构,并采用GaAs HBT集成电路工艺,成功研制了基于该电路架构的射频开关功放(SMPA)专用驱动芯片.经过仿真和实验验证,
由于自然或人为的因素,非线性广泛的存在于实际结构中,包括为抵抗地震作用在结构基底中设置的橡胶隔震支座的非线性行为,以及建筑结构在长期的损伤累积中所产生的非线性行为
本文提出一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型,考虑了高频下的涡流损耗.针对高频下的寄生效应,在晶体管小信号等效电路中引入了阶梯电阻电感结构.利用0.15um GaN
采用GaAs pHEMT工艺,研制了一款X波段收发多功能芯片.在一个芯片上集成了双平衡混频器、本振驱动放大器、低噪声放大器、射频开关等电路,能够分别实现接收下变频和发射上
本文提出一种改进的HEMT晶体管小信号等效电路模型，在等效电路本征部分增加了电感元件来表征器件本征部分的电感特性.利用0.15um GaN HEMT工艺晶体管测试数据进行参数提取