Na Flux法生长GaN体单晶

• 作 者: 刘宗亮 任国强 苏旭军 王建峰 徐科
• 机 构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
• 出 处: 第13届全国MOCVD学术会议
• 发表日期: 2014年2期

　　GaN单晶衬底在Ⅲ-Ⅴ族半导体器件方面,具有重大的意义和广阔的应用前景。为了进一步提高功率器件的性能和可靠性,需要采用极低缺陷密度单晶GaN衬底。目前,GaN体单晶的主要生长方法有HVPE、氨热法、高压熔液法和Na Flux法。其中,Na Flux法是一种近热力学平衡条件下的生长方法,生长速率比氨热法快几十倍,而且生长设备相对简单,利于降低生长成本。但是,Na Flux法直接生长不容易获得单晶。将HVPE方法和Na Flux法相结合正在成为广泛关注的技术路线。