论文部分内容阅读
由于多铁性材料不仅蕴含着铁电、铁磁、铁弹等有序参量之间的耦合等丰富的基础科学问题，而且在铁电/铁磁存储器、MEMS等方面具有极大的应用前景，因此受到研究者们的广泛关注。BiFeO3是一种单相多铁性材料，具有类钙钛矿结构且空间群为R3m(晶格常数a=0.396nm，α=89.5°);其所具有的较高居里温度Tc～1103 K和奈尔温度TN～643 K使之成为此类研究的典型代表。在该体系中，由氧空位(Vo)导致的漏电问题一直是制约电磁耦合研究和材料开发应用的关键问题。虽然在以往的研究中，通过元素掺杂及衬底诱导薄膜取向生长的手段，对BiFeO3的漏电实现了一定的抑制，但是对其中的作用机理研究尚处于探索阶段，尤其是对其中的界面效应还未给予重视和深入的探讨。