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微波LTCC内埋置电容设计与参数提取
微波LTCC内埋置电容设计与参数提取
来源 :中国电子学会第十四届电子元件学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:seracn
【摘 要】
:
采用单π拓扑结构建立三维结构LTCC内埋置电容等效电路模型,并利用此模型来提取有效参数及各种寄生参数.采用相对介电常数ε r=7.8、介质损耗tan δ=0.0047微波陶瓷材料,设计
【作 者】
:
苏宏
杨邦朝
任辉
胡永达
胡永达
【机 构】
:
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
【出 处】
:
中国电子学会第十四届电子元件学术年会
【发表日期】
:
2006年8期
【关键词】
:
参数提取
微波陶瓷
介质损耗
内埋置电容
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采用单π拓扑结构建立三维结构LTCC内埋置电容等效电路模型,并利用此模型来提取有效参数及各种寄生参数.采用相对介电常数ε r=7.8、介质损耗tan δ=0.0047微波陶瓷材料,设计出400MHz频率下大小为7.95pF的VIC结构电容,自我谐振频率达3.3GHz.
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