【摘 要】
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本文研究了高密度电子封装用锡凸点的电沉积制备方法,并探讨了电流密度,搅拌强度等对电流效率和镀层显微结构的影响,优化了电沉积锡的工艺参数。结果表明对于直径60μm,高度6
【机 构】
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上海交通大学材料科学与工程学院微电子材料与技术研究所; 上海新阳半导体材料股份有限公司;
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本文研究了高密度电子封装用锡凸点的电沉积制备方法,并探讨了电流密度,搅拌强度等对电流效率和镀层显微结构的影响,优化了电沉积锡的工艺参数。结果表明对于直径60μm,高度60μm的封装凸点,电流密度为5A/dm~2,温度为25℃,强搅拌的条件下制备具有良好的效果。采用265℃甘油中,保温90s的回流工艺,得到了规则整齐呈球状排列的凸点阵列。
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