基于分子印迹技术的Cu2+压电石英传感器的研制

• 作 者: 徐洁 叶芝祥 刘沛 牛秀玲
• 机 构: 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路1段24号成都信息工程学院环境工程系610225
• 出 处: 第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
• 发表日期: 2006年12期
• 关键词: 分子印迹 石英晶体微天平 电化学技术 循环伏安法 压电传感器

本文利用分子印迹技术，以Cu2+为模板分子，邻苯二胺为功能单体，用循环伏安法将分子印迹聚合膜沉积于压电石英晶体铂电极表面制成Cu2+压电传感器。对影响电聚合反应的因素进行了筛选(模板分子浓度、单体浓度)。
结果表明，该传感器对Cu2+具有良好的选择性和灵敏度，Cu2+浓度在105～10-4 mol/L范围内与△f具有良好的线性关系，检测下限为10-6mol/L。