【摘 要】
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本文研究了利用中频脉冲磁控溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,工作气压、靶电压、O/Ar、本底真空度等参数对材料性能的影响.通过XRD、Hall、分光光度计等
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津)南开大学光电子所(天津)
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本文研究了利用中频脉冲磁控溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,工作气压、靶电压、O<,2>/Ar、本底真空度等参数对材料性能的影响.通过XRD、Hall、分光光度计等方法,对制备薄膜的结构及光电特性进行分析,找到最佳的工艺参数:工作气压0.6Pa,靶电压265V,O<,2>/Ar随沉积速率改变,本底真空度尽量大.
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