具有双介质埋层的新型SOI材料研制

• 作 者: 陈开锋[1]罗小蓉[1]詹瞻[1]冯志成[2]张正元[2]
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
• 出 处: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
• 发表日期: 2007年期

本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化学机械抛光来实现键合面的平坦化,在高温下对有源片和衬底片进行牢固键合.通过以上等工艺步骤,获得了Si/SiO2/Poly/SiO2/Si共5层纵向结构的双埋层夹多晶硅SOI材料。测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点。