【摘 要】
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稀散元素(Ga、In、Tl、Ge等)在我国的资源十分丰富,储量居世界前茅。由稀散元素构成的多元硫化物、硒化物、碲化物以及砷化物具有独特的结构和半导体性质已被应用于新型光电
【机 构】
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苏州大学化学化工学院,苏州 215123
【出 处】
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中国化学会第七届全国无机化学学术会议
论文部分内容阅读
稀散元素(Ga、In、Tl、Ge等)在我国的资源十分丰富,储量居世界前茅。由稀散元素构成的多元硫化物、硒化物、碲化物以及砷化物具有独特的结构和半导体性质已被应用于新型光电材料,并在催化、吸附等方面具有应用前景。因此对这类化合物和材料的深入研究具有重要的意义。主族元素硫属化合物的晶体生长方法主要有高温固相合成法、常温溶液反应法、水热法或溶剂热法等方法。溶液反应法不易得到化合物晶体。高温固相合成方法及溶剂热合成法都比较有利于晶体生长,两种方法各有利弊。本研究在这类化合物中引入鳌合胺及多胺化合物，得到了一系列的包含鳌合配位离子的Ga,In硫属化合物。其结构模式比非鳌合胺系列更具有多变性。(1)鳌合配位离子除了作为电荷平衡离子和模板或导向剂作用外，还有可能直接与阴离子结合形成具有共价结构的有机-无机杂化材料。(2)通常以四面体共用边形成的一维链状结构是直线型化合物，得到了一系列类型不同的正弦波状{[InTe2]-}<∞>化合物，对于研究这类化合物很有意义。
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