离子轰击对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)TiN膜中残余氯的影响机制探讨

• 作 者: 谢飞 何家文
• 机 构: 石油化工学院
• 出 处: 中国机械工程学会第三届全国青年学术会议
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 氩离子轰击 等离子体增强化学气相沉积 残余氯 柱状结构 微孔表面 存在机制 新工艺 氯分布 循环 晶界 界面 含量 方法

通过分析PECVD的特点，对残余氯的存在机制、等离子体场中离子轰击对氯分布的影响作了进一步的讨论，研究降低残余氯的方法。指出PECVDTiN生长中的柱状结构与沉积时等高于体的轰击对膜内氯向晶界、微孔表面等界面处偏聚的促进作用，是这些部位氯较膜内含量高的主要原因。提出了一种可有效降低残余氯的新工艺一循环氩离子轰击一PECVD TiN。