硫化镉纳米线的螺旋位错驱动的缺陷生长机理

来源 :中国化学会第28届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sanji621
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  硫化镉是一种重要的直接带隙半导体(2.4 eV),因其优良的光学性能引起人们的广泛关注1.这里,我们报导了一种新型的制备硫化镉纳米线和纳米带的化学气相沉积法.该方法具有合成产率高,时间短,纯度高,反应条件温和等特点.通过调控载气流速、反应压力、晶体沉积和生长温度等条件,可以精确地调控硫化镉的形貌、尺度.通过置换光阑暗场透射电镜分析,我们在硫化镉纳米线内观测到位错、扭曲、以及空心等多种缺陷结构,并进一步推测硫化镉纳米线的生长机理很可能是螺旋位错的扭曲张力驱动的一种缺陷生长机理2.该方法合成的高质量的纳米线和纳米带有望应用到光学电学器件的制作中.
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