【摘 要】
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作为第三代半导体的核心基础材料,ZnO具有非常优越的光电性能,在低阈值、高效率的短波长光电子器件领域有着极为广阔的应用前景.目前ZnO在国际上最被看好的潜在应用之一
【机 构】
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中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室北京100190
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作为第三代半导体的核心基础材料,ZnO具有非常优越的光电性能,在低阈值、高效率的短波长光电子器件领域有着极为广阔的应用前景.目前ZnO在国际上最被看好的潜在应用之一是高性能的深紫外(尤其是日盲紫外)探测器.理论上通过Mg、Be等元素的掺杂,ZnO的禁带宽度能够在很大波段范围内进行调谐,如通过调整MgxZn1-xO中的Mg组分,其带隙可在3.37～7.8eV范围内调控,从而完成紫外至日盲区的探测[1].目前高质量薄膜材料的制备与研究、器件结构的设计与优化是MgZnO材料走向器件应用必须要解决的两个首要关键问题.针对上述核心研究内容,我们开展了从薄膜界面工程、能带工程到器件应用等一系列系统性研究工作,取得了一些突破性进展[2-6].
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