【摘 要】
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利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲度(bow)值对LED芯片的各个光学和电学参数的影响。公式计算的结果表明：不同的衬底弯曲度(bow)值对于LED芯片的性能具有明显影响：随着薄膜生长前衬底弯曲度(bow)值从-2.02μm到-6.77μm再到-9.21μm
【机 构】
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CollegeofElectronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130023, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲度(bow)值对LED芯片的各个光学和电学参数的影响。公式计算的结果表明：不同的衬底弯曲度(bow)值对于LED芯片的性能具有明显影响：随着薄膜生长前衬底弯曲度(bow)值从-2.02μm到-6.77μm再到-9.21μm的逐渐增加，生长完成后外延层中的残余应力依次明显减小，芯片的电学和光学性能逐渐变好，主波长发生逐渐蓝移。
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利用磁控溅射法在制作完底电极的LaAlO3(100)衬底上制备了一层BaO-Nd203-Sm203-Ti02系(简称BNST)薄膜,再对薄膜进行退火处理。X射线衍射仪(XRD)分析表明：经过退火处理的BNST薄膜具有良好的结晶效果。采用薄膜电容结构来实现电容的测量,主要研究了BNST薄膜电容的频率特性。LCR和矢量网络分析测试表明：在测试频率为1MHz时,介电系数为58.3.介电损耗tan6小于2
通过调整生长参数,实现砷化镓纳米线轴向和径向生长速率可控。在此基础上,使用分子束外延技术制备了芯壳p-n结构砷化镓纳米线。同时,通过探索GaAs一维纳米结构的光刻、壳层刻蚀、欧姆电极制备工艺,获得一维纳米芯壳光伏器件,针对该器件的I-V测试结果表明,该结构在模拟太阳光照射情况下(AM l.5G,1个太阳)t开路电压Voc-0.539、短路电流lsc=10.374mA/cm2、有效填充因子FF=0.
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