重钴掺杂单晶硅的光电特性

来源 :第13届中国光伏大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wy2720204445
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通过离子注入和脉冲激光熔融制备了钴掺杂单晶硅样品,当掺杂浓度高于Mott极限(6×1019cm-3)时,钴掺杂层呈金属特性.钴掺杂层和P型单晶硅衬底间有整流效应.将其制作成光伏器件,器件效率随着钴含量的增加而增加,当注入剂量为2×1016cm-2时,器件效率为1.05%.钴掺杂样品的红外吸收率以及用其制备的电池在红外波段的量子效率和不掺杂的样品相比都有所提高.
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