【摘 要】
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MOCVD生长的掺硼氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜,具有天然的“类金字塔”绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的“陷光”作用.本文采用Ar等离子体轰击薄膜表面,使其形
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
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MOCVD生长的掺硼氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜,具有天然的“类金字塔”绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的“陷光”作用.本文采用Ar等离子体轰击薄膜表面,使其形貌得到改善,“类金字塔”形貌的尖峰在Ar等离子体的轰击下变得相对比较平滑,并证明了ZnO:B薄膜的表面特性与刻蚀条件密切相关.
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