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透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)由于具有场效应迁移率高、均匀性好、对可见光区透明、可低温制备以及环境稳定性良好等优点，成为最有希望的下一代薄膜晶体管之一。近年来，为了降低工业化成本，溶液法制备TAOS-TFT受到了研究人员的青睐。然而，溶液法制备的氧化物半导体薄膜由于缺陷的存在，从而使得器件的迁移率较低、关态电流较大。