【摘 要】
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Higher Ion and lower Ioff are eagerly required by gate on array(GOA)technology to guarantee its function.Different SiH4/NH3 ratio in plasma enhanced silicon nitride deposition over G8.5 dummy glass is
【机 构】
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd,Guangdong,China,518132
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Higher Ion and lower Ioff are eagerly required by gate on array(GOA)technology to guarantee its function.Different SiH4/NH3 ratio in plasma enhanced silicon nitride deposition over G8.5 dummy glass is investigated for optimized uniformity and then manufactured in the improved 55 inch 4-Mask process for LCD TV display to decrease the side effect of the O2 ashing process.The average TFT properties in 13 point of 55 inch is provided.The electrical properties are compared and analyzed.
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1972 年Fujishima 和Honda[1]首先报道了利用TiO2 作为光催化剂分解水制备H2,发现了半导体的“本多-藤岛效应”,从此开辟了对半导体光催化领域的研究.TiO2 作为一种典型的金属氧化物半导体材料由于其光催化性质优异,化学性质稳定,安全无毒,成本低等优点已经被批量生产为P25 在商业上应用.但由于二氧化钛禁带宽度较大,导致其光响应区域位于较窄的紫外光区,且光生载流子容易复合[2
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