IMC-2号油溶性缓蚀剂在蒸馏塔上的应用和性能评价

来源 :第十三届全国缓蚀剂学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pan2009pan
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对IMC-2号油溶性缓蚀剂在炼油厂进行了现场应用试验.结果显示:在不注中和剂氨水的条件下,IMC-2号油溶性缓蚀剂在12~13ppm浓度下能将常减压蒸蚀冷凝系统中的二价铁离子浓度降低到2mg/L左右.优于同等浓度下水溶性缓蚀剂效果.
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从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED P电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体系实现GaN P电极接触的潜在优势.
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰值的半高宽(FWHM)分别与Hall测量结果得到的二维电子气(2DFG)浓度和迁移率有定性的对应关系.
我们先后研制成功低温反射式、低温透过式和表面态反射式1μm半导体可饱和吸收镜以及800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜.利用1微米半导体可饱和吸收镜实现多种固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为3ps,利用800nm布拉格型半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光器自启动被动锁模,最短脉冲宽度为37fs.
采用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900um,电流注入区条宽100um,两端的无注入区宽度均为25um.镀膜后器件的阈值电流为0.38A,输出波长670±2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°、40°.这
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶体质量.样品的光荧光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)测试结果显示引入缓冲层后,薄膜的光学质量得到了相应的提高,薄膜的表面粗糙度变大.缓冲层温度为320℃的氧化锌薄
在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O流量为130sccm时,ZnO薄膜结晶质量最好,(002)衍射峰半高宽PWHM最低赕0.185°.O流量增加,薄膜光致发光谱中近带边发射明显增强,深能级峰明显减弱,二者峰强比值最高达53:1.O流量的增加,也影响着ZnO薄膜的电参数,在610℃,O流量为180
本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)对所生长氧化锌薄膜的晶体质量、光学特性和表面形貌进行了比较与研究.研究显示锌源温度为-19℃时所生长的ZnO薄膜具有较好的综合特性.XRD显示每个样品仅在2θ=34.7°附近有一个很陡峭的ZnO(002)晶面衍射峰,说明所制备的氧
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3eV到3.95eV之间调节.
利用同步辐射X射线衍射(XRD),同时运用2è扫描,ù扫描和ù-2è扫描这三种扫描方式研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,阐释了相应的欧姆接触形成的机制.结合不同温度下比接触电阻(Pc)的变化,研究发现从450℃开始N iO和Au在p-GaN上形成外延结构对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,NiO和Au的外延结构进一步改善,ρc也达到了最低值.当合金温度升
GaN基白光发光二极管(LED)因为其高效、节能、环保等优点,正在成为新一代照明的固态照明(Solid-State Lighting,SSL)最具潜力的光源.目前主要研究方向有:倒封装芯片技术;结构衬底,表面粗化以及微结构技术;激光剥离、上下电极芯片技术等.