【摘 要】
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本文从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了对Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响情况,结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm,效率达到7.35﹪的Ge太阳电池.
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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本文从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了对Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响情况,结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm<2>,效率达到7.35﹪的Ge太阳电池.
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a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长的a-Si:H薄膜呈现出较高的光敏性(光电导/暗电导)、较低的键合氢含量.分析表明,热丝对等离子体的热辐射对a-Si:H薄膜性能的改善起了决定性的作用.热丝辅助MWECR-CVD方法的提出为调控高速生长的a-Si:H薄膜的性能提供了一种新的途径.
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采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)纳米多层膜的微结构和磁性的影响.所有样品溅射时玻璃基片温度保持在220℃,Ar溅射气压从0.4Pa到1.6Pa.研究结果表明,Ar溅射气压对(CoCr/Pt)纳米多层膜的微结构、垂直磁各向异性和矫顽力的很大的影响.所有样品的有效各向异性常数K>0,具有垂直磁各向异性.X射线衍射结果显示,
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