【摘 要】
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研究表明晶界处形成Bi2WO6会提高ZnO压敏陶瓷的非线性系数,本研究在ZnO陶瓷中掺入与W同主族元素的氧化物Mo03,M003与Bi203具有低共熔点,有望能够降低烧结温度,同时形成的Bi2M
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十四届学术年会
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研究表明晶界处形成Bi2WO6会提高ZnO压敏陶瓷的非线性系数,本研究在ZnO陶瓷中掺入与W同主族元素的氧化物Mo03,M003与Bi203具有低共熔点,有望能够降低烧结温度,同时形成的Bi2MoO6能够保证ZnO陶瓷具有较高的非线性系数.研究结果表明,当M003的掺杂含量小于0.05mol％,随着添加Mo03含量的增加,非线性系数略有提高,这主要由于少量Mo4+固溶到ZnO晶粒中,起到施主掺杂的作用,有利于提高非线性系数;当Mo03的掺杂含量增加至0.1mol％时,Mo03逐渐固溶于Bi203中,形成施主掺杂,导致非线性系数略有下降;进一步增加M003的含量,M003会与Bi203形成Bi2MoO6晶界相,Bi203相逐渐减小,由于Bi2MoO6为快离子导体,与Bi203都可以为氧从气相到晶界处的传输提供给了通道,起到传输氧的作用,因此非线性系数的变化不大;当M003的含量高于0.4mol％时,Mo03逐渐与ZnO反应形成ZnMoO4,形成的杂相导致样品的性能下降.
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