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本文在Matten提出的多晶硅断裂强度的静电测试结构基础上,给出了一种改进的数学模型,根据此理论模型可直接通过外加电压的测量决定多晶硅断裂强度,并用ANSYS模拟结果验证了该理论模型准确性.与原有结构模型相比需要测试量少且测试简单.
MEMS薄膜断裂强度的静电测试结构模型
【摘 要】
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本文在Matten提出的多晶硅断裂强度的静电测试结构基础上,给出了一种改进的数学模型,根据此理论模型可直接通过外加电压的测量决定多晶硅断裂强度,并用ANSYS模拟结果验证了该
【机 构】
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东南大学MEMS教育部重点实验室(中国南京)
【出 处】
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第八届敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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2003年期
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