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在自行研制出线阵CCD器件驱动与测试电路的基础上,利用Co-60γ辐射源,选取商用线阵器件,在不同的偏置状态下,开展了CCD总剂量效应的模拟试验,离线测量了辐射累积剂量对器件暗电流、饱和电压和信噪比的影响.初步建立了线阵CCD器件总剂量效应模拟试验系统.
线阵CCD器件总剂量效应模拟试验研究
【摘 要】
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在自行研制出线阵CCD器件驱动与测试电路的基础上,利用Co-60γ辐射源,选取商用线阵器件,在不同的偏置状态下,开展了CCD总剂量效应的模拟试验,离线测量了辐射累积剂量对器件暗
【机 构】
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西北核技术研究所(西安)
【出 处】
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第八届全国固体核径迹学术会议
【发表日期】
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2004年10期
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